文献

J-GLOBAL ID：200902172502944387   整理番号：97A0539350

高濃度PbドープBi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ超伝導体における高い臨界電流密度 有効ピン止め中心の生成

High Critical-Current Density in the Heavily Pb-Doped Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ Superconductor: Generation of Efficient Pinning Centers.

著者 (9件)： CHONG I (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  HIROI Z (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  IZUMI M (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SHIMOYAMA J (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NAKAYAMA Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KISHIO K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TERASHIMA T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  BANDO Y (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TAKANO M (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Science  (Science)
巻： 276  号： 5313  ページ： 770-773  発行年： 1997年05月02日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi_2.2-xPb<sub>x</su...

シソーラス用語： 高温超伝導体 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0539350&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0078A") }}

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高濃度 ,  Pb ,  ドープ ,  臨界電流密度 ,  ピン止め中心