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J-GLOBAL ID：200902172541225843   整理番号：96A0949299

in-situ電気化学プロセスを用いたInP系材料に対する高いショットキー障壁の形成とその形成機構

Formation of high Schottky barrier heights to InP-based materials by in-situ electrochemical process and its mechanism.

著者 (3件)： 佐藤威友 (北大 工) ,  橋詰保 (北大 工) ,  長谷川英機 (北大 工)
資料名： 電気関係学会北海道支部連合大会講演論文集
巻： 1996  ページ： 80  発行年： 1996年 
JST資料番号： L1739A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気化学 ,  プロセス ,  InP ,  ショットキー障壁