文献

J-GLOBAL ID：200902172636342740   整理番号：00A0327353

酸化インジウム-すず薄膜におけるSnの結晶粒界偏析

On the grain boundary segregation of Sn in indium-tin-oxide thin films.

著者 (3件)： MORIKAWA H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KURATA H (Japan Atomic Energy Res. Inst., Ibaraki, JPN) ,  FUJITA M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Journal of Electron Microscopy  (Journal of Electron Microscopy)
巻： 49  号： 1  ページ： 67-72  発行年： 2000年 
JST資料番号： G0104A  ISSN： 0022-0744  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の過程で作製した酸化インジウム-すず薄膜の電子エネルギー...

シソーラス用語： 酸化インジウム ,...
準シソーラス用語： ITO【固溶体】

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0327353&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0104A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (8件)：

• FAN, J. C. C. X-ray photoemission spectroscopy studies of Sn-doped indium-oxide films. J. Appl. Phys. 1977, 48, 3524-3531
• TAKAKI, S. Properties of highly conducting ITO films prepared by ion plating. Appl. Surf. Sci. 1988, 33/34, 919-925
• IKUHARA, Y. Grain boundary structure and chemical bonding state of superplastic SiO_2-doped TZP. J. Electron Microsc. 1997, 46, 467-472
• YAN, Y. Atomic structure of a Ca-doped 〔001〕 tilt grain boundary in MgO. J. Electron Microsc. 1998, 47, 115-120
• MORIKAWA, H. Crystal growth of ITO films prepared by DC magnetron sputtering on C film. Thin Solid Films. 1996, 281-282, 202-205

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化インジウム ,  すず ,  薄膜 ,  SN ,  結晶粒界偏析