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J-GLOBAL ID：200902173104600429   整理番号：96A0567954

ホットフィラメント化学蒸着を用いたシリコン上の(111)ダイヤモンドの配向集合組織化成長

Oriented and textured growth of (111) diamond on silicon using hot filament chemical vapour deposition.

著者 (4件)： CHEN Q (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  CHEN Y (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  YANG J (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIN Z (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 274  号： 1/2  ページ： 160-164  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンド成長の核形成段階に低圧(13Pa),高基板温度,...

シソーラス用語： ダイヤモンド ,...
準シソーラス用語： HFCVD

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： フィラメント ,  化学蒸着 ,  シリコン ,  ダイヤモンド ,  配向 ,  集合組織 ,  成長