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J-GLOBAL ID：200902173211302465   整理番号：98A0349006

超高真空中の直接ウエハボンディングによって作製したSiのpn接合の特性評価

Characterization of Si pn junctions fabricated by direct wafer bonding in ultra-high vacuum.
著者 (4件)：
HOBART K D

HOBART K D について

(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)

Naval Res. Lab., Washington, D.C. について

, 
TWIGG M E

TWIGG M E について

(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)

Naval Res. Lab., Washington, D.C. について

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KUB F J

KUB F J について

(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)

Naval Res. Lab., Washington, D.C. について

, 
DESMOND C A

DESMOND C A について

(California State Univ., California)

California State Univ., California について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 72  号： 9  ページ： 1095-1097  発行年： 1998年03月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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超高真空中のSiウエハの直接ボンディングによって作った。pn...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ケイ素

ケイ素 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ウエハボンディング

ウエハボンディング について


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分類 (2件)：
分類
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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 
(BM03083P)

13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
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高真空

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ウエハボンディング

ウエハボンディング について

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作製

作製 について

, 
Si

Si について

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PN接合

PN接合 について

, 
特性評価

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