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J-GLOBAL ID：200902173381684583   整理番号：93A0649360

シリコンのエキシマレーザ誘起ラテラル成長

Excimer Laser Induced Lateral Epitaxy of Si.

著者 (4件)： 定行英一 (東京工大 工) ,  CHOI D H (東京工大 工) ,  杉浦修 (東京工大 工) ,  松村正清 (東京工大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 2  ページ： 793  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  エキシマレーザ ,  誘起 ,  成長