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J-GLOBAL ID：200902173656659380   整理番号：96A0004669

高温での金属-酸化物-炭化けい素素子の可逆的な水素アニーリング

Reversible hydrogen annealing of metal-oxide-silicon carbide devices at high temperatures.

著者 (3件)： BARANZAHI A (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  SPETZ A L (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  LUNDSTROEM I (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 67  号： 21  ページ： 3203-3205  発行年： 1995年11月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt-SiO₂-SiC素子で観測した6...

シソーラス用語： 焼なまし ,...

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化物 ,  炭化けい素 ,  水素 ,  アニーリング