Siの拡散を使うGaN膜のコンタクト性能の改善

LIN C F; CHENG H C; CHI G C; BU C J; FENG M S

文献

J-GLOBAL ID：200902173690978010 整理番号：00A0437151

Siの拡散を使うGaN膜のコンタクト性能の改善

Improved contact performance of GaN film using Si diffusion.

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資料名：
巻： 76 号： 14 ページ： 1878-1880 発行年： 2000年04月03日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

SiO<sub>x</sub>/Si/GaN/Al<sub>...

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半導体-金属接触 , 固体中の拡散一般

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