In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As(0≦x≦0.3)で覆われた自己集合InAs/GaAs量子ドットの構造および光学特性

LIU H Y; WANG X D; WU J; XU B; WEI Y Q; JIANG W H; DING D; YE X L; WANG Z G

文献

J-GLOBAL ID：200902173779596242 整理番号：00A0963324

In_xGa_1-xAs(0≦x≦0.3)で覆われた自己集合InAs/GaAs量子ドットの構造および光学特性

Structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by In_xGa_1-xAs (0≦x≦0.3).

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著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 88 号： 6 ページ： 3392-3395 発行年： 2000年09月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記InAs量子ドットの構造ならびに光ルミネセンス(PL)特...

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半導体薄膜

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InxGa1-xAs(0≦x≦0.3)で覆われた自己集合InAs/GaAs量子ドットの構造および光学特性

In_xGa_1-xAs(0≦x≦0.3)で覆われた自己集合InAs/GaAs量子ドットの構造および光学特性