アルミニウムソースとしてトリメチルアミンアランを用いてガスソース分子ビームエピタクシーで成長させた,炭素ドープベースを持つ高電流利得AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ

YAMAURA S; ANDO H; OKAMOTO N; SANDHU A; TAKAHASHI T; FUJII T; YOKOYAMA N

文献

J-GLOBAL ID：200902173788362556 整理番号：93A0350266

アルミニウムソースとしてトリメチルアミンアランを用いてガスソース分子ビームエピタクシーで成長させた,炭素ドープベースを持つ高電流利得AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポーラトランジスタ

High Current Gain AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors with Carbon-Doped Base Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy Using Trimethylamine Alane as the Aluminum Source.

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資料名：
巻： 32 号： 3A ページ： L309-L311 発行年： 1993年03月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

標記バイポーラトランジスタを作製した。ベース幅は70nm,炭...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , トランジスタ

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