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J-GLOBAL ID：200902174017082710   整理番号：00A0154859

転位を除去するネッキング過程を使わない無転位Czochralskiけい素結晶の成長

Dislocation-Free Czochralski Silicon Crystal Growth without the Dislocation-Elimination-Necking Process.

著者 (5件)： HOSHIKAWA K (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  HUANG X (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  TAISHI T (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  KAJIGAYA T (Sumitomo Metal Mining Co., Ltd., Ome, JPN) ,  IINO T (Sumitomo Metal Mining Co., Ltd., Ome, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 12A  ページ： L1369-L1371  発行年： 1999年12月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 転位を除去するためのネッキング過程を使わないCzochral...

シソーラス用語： *無転位結晶 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (10件)：

• 1) W. C. Dash: J. Appl. Phys. 30 (1959) 459.
• 2) W. C. Dash: J. Appl. Phys. 31 (1960) 736.
• 3) H. Yamagishi, H. Minami, M. Imai, T. Misawa and K. Takada: Proc. 2nd Int. Symp. Advanced Science & Technology of Silicon Materials, Kona, Hawaii, U.S.A., 1996, p. 59.
• 4) S. Chandrasekhar and K. M. Kim: Semiconductor Silicon, eds. H. R. Huff, H. Tsuya and U. Gssele (Electrochem. Soc., Pennington, 1998) Electronics Division PV 98-1, p. 411.
• 5) K. Yamada, H. Kohda, H. Nakanishi and K. Hoshikawa: J. Cryst. Growth 78 (1986) 36.

タイトルに関連する用語 (6件)： 転位 ,  ネッキング ,  過程 ,  けい素 ,  結晶 ,  成長