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J-GLOBAL ID：200902174070537362   整理番号：00A0240158

スタンプ技術を用いた炭素に基づく電界エミッタの作製

Fabrication of Carbon-Based Field Emitters Using Stamp Technology.

著者 (4件)： BABA A (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  HIZUKURI M (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  IWAMOTO M (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  ASANO T (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38  号： 12B  ページ： 7203-7207  発行年： 1999年12月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここで提案したスタンプ技術は電界電子エミッタを作製する新しい...

シソーラス用語： *炭素 ,...
準シソーラス用語： スタンプ技術

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分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

引用文献 (10件)：

• 1) C. Wang, A. Garcia, D. C. Ingram, M. Lake and M. E. Kordesch: Electron. Lett. 27 (1991) 1459.
• 2) S. Katsumata, Y. Oobuchi and T. Asano: Diamond & Related Mater. 3 (1994) 1296.
• 3) T. Asano, Y. Oobuchi and S. Katsumata: J. Vac. Sci. & Technol. B13 (1995) 431.
• 4) F. Y. Chuang, C. Y. Sun, H. F. Cheng, C. M. Huang and I. N. Lin: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1666.
• 5) T. Asano, E. Shibata, D. Sasaguri, K. Makihira and K. Higa: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L818.

タイトルに関連する用語 (4件)： スタンプ ,  炭素 ,  電界エミッタ ,  作製