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J-GLOBAL ID:200902174074904386   整理番号:98A0833215

表面分析技術の組み合わせによる高温におけるZr-Si/W(100)表面の研究

Study on Zr-Si/W(100) Surface at High Temperatures by Combined Surface Analysis Techniques.
著者 (3件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 4561-4562  発行年: 1998年08月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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標記表面の電子放出速度を,Auger電子分光,イオン散乱分光...
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分類 (2件):
分類
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金属の表面構造  ,  熱電子放出,電界放出 
引用文献 (10件):
  • 1) S. C. Lee, Y. Irokawa, M. Inoue and R. Shimizu: Surf. Sci. 330 (1955) 289.
  • 2) L. R. Danielson and L. W. Swanson: Surf. Sci. 88 (1979) 14.
  • 3) H. Shimoyama: private communication.
  • 4) S. Yamaguchi, T. Ohye and H. Shimoyama: Ext. Abstr. (43rd Spring Meet. 1996); Japan Society of Applied Physics and Related Societies, 28p-E-16 [in Japanese].
  • 5) T. Naganuma, Y. Yamakawa, T. Ohye and H. Shimoyama: Proc. 54th Annu. Meet. Japanese Society of Electron Microscopy, 1998, Vol. 33, Suppl. 1, P25.
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