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J-GLOBAL ID：200902174129410787   整理番号：99A0892761

SiO₂/Si基板上に形成したSrBi₂Ta₂O₉薄膜のメモリ特性

Memory properties of SrBi₂Ta₂O₉ thin films prepared on SiO₂/Si substrates.

著者 (2件)： XIONG S-B (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SAKAI S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 11  ページ： 1613-1615  発行年： 1999年09月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザアブレーションによりSiO₂/S...

シソーラス用語： タンタル酸塩 ,...

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分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiO2 ,  Si基板 ,  薄膜