Gd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/GaN金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ

JOHNSON J W; LUO B; REN F; GILA B P; KRISHNAMOORTHY W; ABERNATHY C R; PEARTON S J; CHYI J I; CHUO C C

文献

J-GLOBAL ID：200902174309561074 整理番号：01A0162842

Gd₂O₃/GaN金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ

Gd₂O₃/GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistor.

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巻： 77 号： 20 ページ： 3230-3232 発行年： 2000年11月13日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ガスソース分子ビームエピタクシー装置で,元素状Gdと電子サイ...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 酸化物薄膜 , トランジスタ

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Gd2O3/GaN金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ

Gd₂O₃/GaN金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ