ガンマ-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>を中間層として用いたSi(001)基板上へのウルツ鉱型GaNのエピタキシャル成長

WANG L; LIU X; ZAN Y; WANG J; WANG D; LU D-C; WANG Z

文献

J-GLOBAL ID：200902174324929622 整理番号：98A0189274

ガンマ-Al₂O₃を中間層として用いたSi(001)基板上へのウルツ鉱型GaNのエピタキシャル成長

Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using γ-Al₂O₃ as an intermediate layer.

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資料名：
巻： 72 号： 1 ページ： 109-111 発行年： 1998年01月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

反射高速電子回折および二結晶X線回折測定から,標記の低圧(≒...

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半導体薄膜

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ガンマ-Al2O3を中間層として用いたSi(001)基板上へのウルツ鉱型GaNのエピタキシャル成長

ガンマ-Al₂O₃を中間層として用いたSi(001)基板上へのウルツ鉱型GaNのエピタキシャル成長