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J-GLOBAL ID：200902174394302341   整理番号：98A0861455

サブ0.25μm CMOS ULSI技術における完全な銅配線

Full Copper Wiring in a Sub-0.25μm CMOS ULSI Technology.

著者 (9件)： EDELSTEIN D (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center, NY) ,  GOLDBLATT R (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center, NY) ,  COTE W (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center, NY) ,  MOTSIFF W (IBM Microelectronics, VT) ,  SIMON A (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center, NY) ,  WACHNIK R (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center, NY) ,  RATHORE H (IBM Semiconductor Res. and Dev. Center, NY) ,  LUCE S (IBM Microelectronics, VT) ,  SLATTERY J (IBM Microelectronics, VT)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1997  ページ： 773-776  発行年： 1997年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6層までのCuの配線技術を開発した。最小の金属コンタクトのピ...

シソーラス用語： *超LSI ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： サブ ,  CMOS ,  ULSI ,  銅配線