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J-GLOBAL ID：200902174619193377   整理番号：93A0664183

N⁺拡散結合型SOIの埋め込み酸化膜絶縁破壊耐圧

Dielectric Breakdown voltage of Buried Oxide in N⁺ Bonded SOI.

著者 (6件)： 金井昭男 (信越半導体) ,  MANAP D A (信越半導体) ,  中野正剛 (信越半導体) ,  大木好 (信越半導体) ,  三谷清 (信越半導体) ,  片山正健 (信越半導体)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 2  ページ： 734  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： 拡散結合 ,  SOI ,  埋め込み酸化膜 ,  絶縁破壊 ,  耐圧