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J-GLOBAL ID:200902174672655242   整理番号:00A0845188

ディープサブミクロン歪みSi N-MOSFETの作成および解析

Fabrication and Analysis of Deep Submicron Strained-Si N-MOSFET’s.
著者 (3件):
資料名:
巻: 47  号:ページ: 1406-1415  発行年: 2000年07月 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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歪みSi/緩和Si<sub>0.8</sub>Ge<sub>...
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準シソーラス用語:
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