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J-GLOBAL ID：200902174672655242   整理番号：00A0845188

ディープサブミクロン歪みSi N-MOSFETの作成および解析

Fabrication and Analysis of Deep Submicron Strained-Si N-MOSFET’s.

著者 (3件)： RIM K (Stanford Univ., CA, USA) ,  HOYT J L (Stanford Univ., CA, USA) ,  GIBBONS J F (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 47  号： 7  ページ： 1406-1415  発行年： 2000年07月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪みSi/緩和Si_0.8Ge<sub>...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： チャネル【半導体】

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ディープサブミクロン ,  歪み ,  Si ,  MOSFET ,  解析