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J-GLOBAL ID：200902175104575931   整理番号：95A0422330

Q帯パワー用高効率単一パルスドープ型Al_0.60In_0.40As/GaInAs/InP HEMT

High efficiency single pulse doped Al_0.60In_0.40As/GaInAs/InP HEMTs for Q-band power applications.

著者 (8件)： HUR K Y (Raytheon Co., MA, USA) ,  MCTAGGART R A (Raytheon Co., MA, USA) ,  VENTRESCA M P (Raytheon Co., MA, USA) ,  WOHLERT R (Raytheon Co., MA, USA) ,  HOKE W E (Raytheon Co., MA, USA) ,  LEMONIAS P J (Raytheon Co., MA, USA) ,  KAZIOR T E (Raytheon Co., MA, USA) ,  AUCOIN L M (Raytheon Co., MA, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 31  号： 7  ページ： 585-586  発行年： 1995年03月30日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一パルス ドープ型,0.2μmゲートAl<sub>0.60...

シソーラス用語： HEMT ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： Q帯 ,  パワー ,  高効率 ,  パルス ,  ドープ ,  GaInAs ,  InP ,  HEMT