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J-GLOBAL ID：200902175181757473   整理番号：99A0624620

プラズマ援助MBEによって成長させたAlGaN/GaNヘテロ構造における高移動度の二次元電子ガス

High mobility two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy.

著者 (9件)： ELSASS C R (Univ. California, California) ,  SMORCHKOVA I P (Univ. California, California) ,  HEYING B (Univ. California, California) ,  FINI P (Univ. California, California) ,  MARANOWSKI K (Univ. California, California) ,  KELLER S (Univ. California, California) ,  PETROFF P M (Univ. California, California) ,  MISHRA U K (Univ. California, California) ,  SPECK J S (Univ. California, California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 74  号： 23  ページ： 3528-3530  発行年： 1999年06月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア上のMOCVD成長n型GaNテンプレート上に,rf...

シソーラス用語： MBE成長 ,...

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分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： プラズマ ,  援助 ,  MBE ,  成長 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  高移動度 ,  二次元電子ガス