化学蒸着ZnSバッファ層を持つ,高効率カドミウムフリーCu(In,Ga)Se<sub>2</sub>薄膜太陽電池

NAKADA T; FURUMI K; KUNIOKA A

文献

J-GLOBAL ID：200902175183426687 整理番号：99A0988906

化学蒸着ZnSバッファ層を持つ,高効率カドミウムフリーCu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池

High-Efficiency Cadmium-Free Cu(In,Ga)Se₂ Thin-Film Solar Cells with Chemically Deposited ZnS Buffer Layers.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=99A0988906&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0988906&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 46 号： 10 ページ： 2093-2097 発行年： 1999年10月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MgF2/ZnO:Al/CBD-ZnS/CIGS/Mo/SL...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0988906&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

太陽電池

, , , , , , ,

前のページに戻る

化学蒸着ZnSバッファ層を持つ,高効率カドミウムフリーCu(In,Ga)Se2薄膜太陽電池

化学蒸着ZnSバッファ層を持つ,高効率カドミウムフリーCu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池