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J-GLOBAL ID：200902175331361077   整理番号：02A0865094

分子線エピタクシーで成長させた1.3~1.6μm長波長レーザのためのGaInNAsSb

GaInNAsSb for 1.3-1.6-μm-Long Wavelength Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy.

著者 (7件)： GAMBIN V (Stanford Univ., CA, USA) ,  HA W (Stanford Univ., CA, USA) ,  WISTEY M (Stanford Univ., CA, USA) ,  YUEN H (Stanford Univ., CA, USA) ,  BANK S R (Stanford Univ., CA, USA) ,  KIM S M (Stanford Univ., CA, USA) ,  HARRIS J S JR (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 8  号： 4  ページ： 795-800  発行年： 2002年07月 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高出力1.55μm面発光レーザ(VCSEL)の究極目標に対し...

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,...
準シソーラス用語： *VCSEL ,...

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分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分子線エピタクシー ,  成長 ,  長波長レーザ