文献
J-GLOBAL ID:200902175396996789
整理番号:95A0571183
電気化学プロセスを用いたPtショットキー障壁の形成とInP MESFETの試作
Formation of Schottky Barriers and Fabrication of InP MESFET by Electrochemical Process.
-
出版者サイト
複写サービスで全文入手
{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=95A0571183©=1") }}
-
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0571183&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}