シリコン二重るつぼCzochralski工程における温度および酸素濃度の分布に対する電磁撹はんの効果の数値研究

ONO N; TRAPAGA G

文献

J-GLOBAL ID：200902175416435533 整理番号：97A0356912

シリコン二重るつぼCzochralski工程における温度および酸素濃度の分布に対する電磁撹はんの効果の数値研究

A Numerical Study of the Effects of Electromagnetic Stirring on the Distributions of Temperature and Oxygen Concentration in Silicon Double-Crucible Czochralski Processing.

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巻： 144 号： 2 ページ： 764-772 発行年： 1997年02月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

連続的Czochralski法での2重るつぼ中の溶融体に,電...

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半導体の結晶成長 , 固体デバイス材料 , 無機化合物一般及び元素

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