Si上に成長させたSi<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>のRamanスペクトルに及ぼす熱アニールの効果

NAKANO N; MARVILLE L; JANG S-M; LIAO K; TSAI C; TSAI J; KIM H-W; REIF R

文献

J-GLOBAL ID：200902175523598305 整理番号：93A0188239

Si上に成長させたSi_1-xGe_xのRamanスペクトルに及ぼす熱アニールの効果

Effect of thermal annealing on the Raman spectrum of Si_1-xGe_x grown on Si.

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資料名：
巻： 73 号： 1 ページ： 414-417 発行年： 1993年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si上に成長させた0.08,0.16および0.40μm厚でx...

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半導体薄膜

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Si上に成長させたSi1-xGexのRamanスペクトルに及ぼす熱アニールの効果

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