文献
J-GLOBAL ID：200902175584765018
整理番号：97A0841070
Step-controlled epitaxial growth of SiC: high quality homoepitaxy.
-
出版者サイト
複写サービスで全文入手
{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=97A0841070©=1") }}
-
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0841070&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0341A") }}
著者 (2件)：
,
資料名：
巻：
R20
号：
3
ページ：
XV-XVI,125-166
発行年：
1997年08月
JST資料番号：
T0341A
ISSN：
0927-796X
資料種別：
逐次刊行物 (A)
発行国：
オランダ (NLD)
言語：
英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
,
前のページに戻る
