文献
J-GLOBAL ID：200902175597039987   整理番号：93A0763689

REM and RHEED studies of Pb adsorption on Si(111).

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著者 (3件)：
TANISHIRO Y

TANISHIRO Y について

(Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN)

Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN について

, 
FUKUYAMA M

FUKUYAMA M について

(Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN)

Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN について

, 
YAGI K

YAGI K について

(Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN)

Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN について


資料名：
Atomic-Scale Imaging of Surfaces and Interfaces  (Atomic-Scale Imaging of Surfaces and Interfaces)

Atomic-Scale Imaging of Surfaces and Interfaces について


ページ： 261-269  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930455  ISBN： 1-55899-190-5  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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REM

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RHEED

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Pb

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Si

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