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J-GLOBAL ID：200902175951166495   整理番号：00A1029311

SiC上のAlGaN/GaN金属-酸化物-半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ

AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors on SiC substrates.

著者 (7件)： KHAN M A (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  HU X (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  TARAKJI A (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  SIMIN G (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  YANG J (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  GASKA R (Sensor Electronic Technol., Inc., New York) ,  SHUR M S (Rensselaer Polytechnic Inst., New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 9  ページ： 1339-1341  発行年： 2000年08月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁性4H-SiC基板上に成長させたAlGaN/GaN金属-...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 窒化ガリウムアルミニウム ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  AlGaN ,  GaN ,  酸化物 ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ