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J-GLOBAL ID：200902176079504702   整理番号：00A0596680

高い硫黄ビーム圧力下におけるZnS並びにZnMgSの分子ビームエピタクシーによる高温成長

High temperature growth of ZnS and ZnMgS by molecular beam epitaxy under high sulfur beam pressure.

著者 (8件)： ICHINO K (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  UEYAMA K (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  YAMAMOTO M (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  KARIYA H (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  MIYATA H (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  MISASA H (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  KTAGAWA M (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  KOBAYASHI H (Tottori Univ., Tottori, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 87  号： 9,Pt.1  ページ： 4249-4253  発行年： 2000年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (100)GaP基板上に標題の方法によりZnS並びにZnMg...

シソーラス用語： *MBE成長 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 硫黄 ,  ビーム ,  ZnS ,  分子ビームエピタクシー ,  成長