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J-GLOBAL ID：200902176169967884   整理番号：98A0562327

イオン注入した4H-SiCと6H-SiCのドーパント活性化と表面形態

Dopant Activation and Surface Morphology of Ion Implanted 4H- and 6H-Silicon Carbide.

著者 (5件)： CAPANO M A (Purdue Univ., IN) ,  RYU S (Purdue Univ., IN) ,  MELLOCH M R (Purdue Univ., IN) ,  COOPER J A JR (Purdue Univ., IN) ,  BUSS M R (Purdue Univ., IN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 27  号： 4  ページ： 370-376  発行年： 1998年04月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bイオン注入した4H-SiCと,B及びAlイオン注入した6H...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】

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分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン注入 ,  4H-SiC ,  6H-SiC ,  ドーパント ,  活性化 ,  表面形態