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J-GLOBAL ID：200902176223850483   整理番号：98A0135314

Si(111)上に分子ビームエピタクシーにより成長させたGaN及びAlN層の形態と特性へのIII/V比と基板温度の影響

The effect of the III/V ratio and substrate temperature on the morphology and properties of GaN- and AlN-layers grown by molecular beam epitaxy on Si(111).

著者 (7件)： SANCHEZ-GARCIA M A (UPM, Madrid, ESP) ,  CALLEJA E (UPM, Madrid, ESP) ,  MONROY E (UPM, Madrid, ESP) ,  SANCHEZ F J (UPM, Madrid, ESP) ,  CALLE F (UPM, Madrid, ESP) ,  MUNOZ E (UPM, Madrid, ESP) ,  BERESFORD R (UPM, Madrid, ESP)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 183  号： 1/2  ページ： 23-30  発行年： 1998年01月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題のGaN及びAlN膜を,活性窒素を高周波プラズマ源で発生...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  GaN ,  AlN ,  形態 ,  基板温度