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J-GLOBAL ID：200902176306556498   整理番号：95A0298536

4H SiCの電子有効質量

Electron effective masses in 4H SiC.

著者 (9件)： SON N T (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  CHEN W M (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  KORDINA O (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  MONEMAR A O K B (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JANZ<span style=text-decoration:overline>E ́</span>N E (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  HOFMAN D M (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  VOLM D (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  DRECHSLER M (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  MEYER B K (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 66  号： 9  ページ： 1074-1076  発行年： 1995年02月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H SiC中の電子有効質量を光学的検出サイクロトロン共鳴(...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiC ,  電子 ,  有効質量