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J-GLOBAL ID：200902176323557970   整理番号：98A0360349

イオン注入した窒化ガリウムのアニーリング

Annealing of ion implanted gallium nitride.

著者 (7件)： TAN H H (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  WILLIAMS J S (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  ZOU J (Univ. Sydney, New South Wales, AUS) ,  COCKAYNE D J H (Univ. Sydney, New South Wales, AUS) ,  PEARTON S J (Univ. Florida, Florida) ,  ZOLPER J C (Sandia National Lab., New Mexico) ,  STALL R A (EMCORE, Corp., New Jersey)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 72  号： 10  ページ： 1190-1192  発行年： 1998年03月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiおよびTeのイオン注入によるGaN中の損傷を除去するには...

シソーラス用語： *イオン注入 ,...

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分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン注入 ,  窒化ガリウム ,  アニーリング