文献
J-GLOBAL ID:200902176537241082
整理番号:93A1000414
けい素素子のパイ中間子誘起はじき出し損傷
Pion induced displacement damage in silicon devices.
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著者 (2件):
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資料名:
巻:
335
号:
3
ページ:
580-582
発行年:
1993年11月01日
JST資料番号:
D0208B
ISSN:
0168-9002
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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標記の推定法を示した。実験的に確かめた陽子損傷定数をベースに...
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分類 (1件):
分類
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半導体の放射線による構造と物性の変化
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