プラズマ露出シリコンカーバイド上接触抵抗の改善

文献

J-GLOBAL ID：200902176592237680 整理番号：01A0083828

Improvement of contact resistances on plasma-exposed silicon carbide.

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巻： 44 号： 11 ページ： 2081-2083 発行年： 2000年11月
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

無ドープ6H-Si(シリコンカーバイド)上アニールなしオーミ...

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固体デバイス材料

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