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J-GLOBAL ID：200902176824263763   整理番号：93A0319861

“逆狭小幅効果と小寸法MOSFETしきい値電圧モデル”に関するコメント

Comment on “Inverse-Narrow-Width Effects and Small-Geometry MOSFET Threshold Voltage Model”.

著者 (6件)： BHATIA M (Univ. Delhi South Campus, New Delhi, IND) ,  GUPTA R S (Univ. Delhi South Campus, New Delhi, IND) ,  HSUEH K K L (Gould AMI Semiconductor, ID) ,  SANCHEZ J J (Intel Corp., AZ) ,  DEMASSA T A (Arizona State Univ., AZ) ,  AKERS L A (Arizona State Univ., AZ)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 40  号： 3  ページ： 681-682  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 逆狭小幅効果モデルをPoisson方程式を解析的に解くことに...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 狭小 ,  小寸法 ,  MOSFET ,  しきい値電圧 ,  モデル ,  コメント