ガス源分子線エピタクシー法により成長させたInGaNおよびGaNの光ルミネセンス測定

YOSHIDA S

文献

J-GLOBAL ID：200902176827368043 整理番号：97A0669597

ガス源分子線エピタクシー法により成長させたInGaNおよびGaNの光ルミネセンス測定

Photoluminescence measurement of InGaN and GaN grown by a gas-source molecular-beam epitaxy method.

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資料名：
巻： 81 号： 12 ページ： 7966-7969 発行年： 1997年06月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

サファイア基板にGaNバッファ層を形成し,その上に非分解NH...

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半導体のルミネセンス , 半導体薄膜

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