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J-GLOBAL ID：200902176894345600   整理番号：98A0793852

GaNヘテロエピタキシーにおける転位の生成

Dislocation generation in GaN heteroepitaxy.

著者 (8件)： WU X H (Univ. California, CA, USA) ,  FINI P (Univ. California, CA, USA) ,  TARSA E J (Univ. California, CA, USA) ,  HEYING B (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA U K (Univ. California, CA, USA) ,  DEN BAARS S P (Univ. California, CA, USA) ,  SPECK J S (Univ. California, CA, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190  ページ： 231-243  発行年： 1998年06月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  ヘテロエピタキシー ,  転位