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J-GLOBAL ID：200902176914032310   整理番号：96A0691369

A Critical Look at the Performance Advantages and Limitations of 4H-SiC Power UMOSFET Structures.

著者 (9件)： AGARWAL A K (Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA) ,  SIERGIEJ R R (Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA) ,  SESHADRI S (Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA) ,  WHITE M H (Lehigh Univ., PA) ,  MCMULLIN P G (Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA) ,  BURK A A (Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA) ,  ROWLAND L B (Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA) ,  BRANDT C D (Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA) ,  HOPKINS R H (Westinghouse Sci. & Technol. Center, PA)
資料名： Proceedings of the 8th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC’s, 1996  (Proceedings of the 8th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's, 1996)
ページ： 119-122  発行年： 1996年 
JST資料番号： K19960461  ISBN： 0-7803-3107-9  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： 4H-SiC