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J-GLOBAL ID：200902176952868376   整理番号：98A0471411

シリコンマイクロエレクトロニクスにおける極薄誘電体膜 概要

Ultrathin dielectrics in silicon microelectronics.
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著者 (3件)：
FELDMAN L C

FELDMAN L C について

(Vanderbilt Univ., TN, USA)

Vanderbilt Univ., TN, USA について

, 
GUSEV E P

GUSEV E P について

(Rutgers Univ., NJ, USA)

Rutgers Univ., NJ, USA について

, 
GARFUNKEL E

GARFUNKEL E について

(Rutgers Univ., NJ, USA)

Rutgers Univ., NJ, USA について


資料名：
Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices  (Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices)

Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-based Devices について


ページ： 1-24  発行年： 1998年 
JST資料番号： K19980290  ISBN： 0-7923-5007-3  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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シリコンデバイスの極薄ゲート誘電体膜に関する最近の進歩と現在...
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シソーラス用語/準シソーラス用語
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*誘電体薄膜

誘電体薄膜 について

,...
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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス材料 
(NC03020K)

固体デバイス材料 について

,  酸化物薄膜 
(BK14050P)

酸化物薄膜 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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シリコン

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, 
マイクロエレクトロニクス

マイクロエレクトロニクス について

, 
誘電体膜

誘電体膜 について

, 
概要

概要 について


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