組成勾配のあるバッファ層上に成長させSbを注入した緩和Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>合金層におけるドーパントの活性化

O’RAIFEARTAIGH C; LARSEN A N; CRISTIANO F; HEMMENT P L F

文献

J-GLOBAL ID：200902177216743074 整理番号：96A0038843

組成勾配のあるバッファ層上に成長させSbを注入した緩和Si_1-xGe_x合金層におけるドーパントの活性化

Dopant activation in Sb-implanted relaxed Si_1-xGe_x alloy layers grown on compositionally graded buffers.

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巻： 61 号： 6 ページ： 579-585 発行年： 1995年12月
JST資料番号： D0256C ISSN： 0947-8396 CODEN： APHYCC 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

標記の緩和エピタキシャル合金層にイオン注入することにより置換...

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半導体薄膜 , 半導体の格子欠陥

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組成勾配のあるバッファ層上に成長させSbを注入した緩和Si1-xGex合金層におけるドーパントの活性化

組成勾配のあるバッファ層上に成長させSbを注入した緩和Si_1-xGe_x合金層におけるドーパントの活性化