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J-GLOBAL ID：200902177220264210   整理番号：01A0098266

有機低k誘電体を対象とするCH4/H2プラズマによるRIEラグなしエッチング

RIE-Lag-Less Etching by CH4/N2 Plasma for Organic Low-k Dielectric.
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著者 (4件)：
NAKAGAWA H

NAKAGAWA H について

(Matsushita Electronics Corp.)

Matsushita Electronics Corp. について

, 
MORIKAWA Y

MORIKAWA Y について

(ULVAC Japan Ltd.)

ULVAC Japan Ltd. について

, 
TAMAOKA E

TAMAOKA E について

(Matsushita Electronics Corp.)

Matsushita Electronics Corp. について

, 
HAYASHI T

HAYASHI T について

(ULVAC Japan Ltd.)

ULVAC Japan Ltd. について


資料名：
Proceedings of Symposium on Dry Process  (Proceedings of Symposium on Dry Process)

Proceedings of Symposium on Dry Process について


巻： 22nd  ページ： 257-262  発行年： 2000年11月09日 
JST資料番号： Y0378A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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有機低誘電率(低k)材料,FLARE<sup>TM</sup...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*RIE【エッチング】

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エッチング速度

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分類 (1件)：
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

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物質索引 (1件)：
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タイトルに関連する用語 (5件)：
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低k誘電体

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H2

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, 
プラズマ

プラズマ について

, 
RIE

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, 
エッチング

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