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J-GLOBAL ID：200902177280430268   整理番号：96A0717276

n型の4H-および6H-SiCエピタキシャル層の少数キャリア寿命

The minority carrier lifetime of n-type 4H- and 6H-SiC epitaxial layers.

著者 (4件)： KORDINA O ,  BERGMAN J P ,  HALLIN C (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JANZ<span style=text-decoration:overline>E ́</span>N E (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 69  号： 5  ページ： 679-681  発行年： 1996年07月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記を光ルミネセンスの減衰によって測定して,4H層の固有キャ...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 6H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  少数キャリア寿命