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J-GLOBAL ID:200902177529665082   整理番号:01A0700122

表面電場を利用してマイクロ波反射光伝導率減衰法による湿式化学処理した後のSiウエハ表面の評価

Characterization of Si wafer Surfaces after Wet Chemical Treatment by the Microwave Reflectance Photconductivity Decay Method with Surface Electric Field.
著者 (6件):
資料名:
巻: 40  号: 5A  ページ: 3069-3074  発行年: 2001年05月15日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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外部電極とSiウエハとの間にスペーサを介して電圧を印加して,...
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分類 (2件):
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表面の電子構造  ,  固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (13件):
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