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J-GLOBAL ID：200902112712719618   整理番号：99A0441992

外部電極によるSiウエハの表面再結合の制御

Control of Surface Recombination of Si Wafers by an External Electrode.

著者 (6件)： ICHIMURA M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  HIRANO M (Gokiso, Nagoya, JPN) ,  KATO N (Gokiso, Nagoya, JPN) ,  ARAI E (Gokiso, Nagoya, JPN) ,  TAKAMATSU H (Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN) ,  SUMIE S (Kobe Steel, Ltd., Kobe, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 3B  ページ： L292-L294  発行年： 1999年03月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明電極をSiウエハに近接させて置き,ウエハに対して負または...

シソーラス用語： パルスレーザ照射 ,...

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分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (6件)：

• BUCK, T. M. J.Electrochem.Soc. 1958, 105, 709
• HORANYI, T. S. Appl.Surf.Sci. 1993, 63, 306
• SCHOFTHALER, M. Proc.1st Conf.Photovoltaic Energy Conversion. 1994, 1509
• GROVE, A. S. Physics and Technology of Semiconductor Devices. 1967
• COWLEY, A. M. J.Appl.Phys. 1965, 36, 3212

タイトルに関連する用語 (3件)： 外部電極 ,  Siウエハ ,  表面再結合