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J-GLOBAL ID：200902177581998006   整理番号：93A0890156

InAs(111)A Surface upon Various Chemical Treatments Studied by RHEED and XPS.

著者 (5件)：
GALITSYN YU G

GALITSYN YU G について

(Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)

Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN について

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MANSUROV V G

MANSUROV V G について

(Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)

Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN について

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POSHEVNEV V I

POSHEVNEV V I について

(Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)

Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN について

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SOKOLOV R A

SOKOLOV R A について

(Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)

Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN について

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VALISHEVA N A

VALISHEVA N A について

(Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN)

Inst. Physics of Semiconductors, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, SUN について


資料名：
Physics, Chemistry and Mechanics of Surfaces  (Physics, Chemistry and Mechanics of Surfaces)

Physics, Chemistry and Mechanics of Surfaces について


巻： 8  号： 5  ページ： 753-763  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： D0591C  ISSN： 0734-1520  CODEN： PCMSER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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InAs

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RHEED

RHEED について

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XPS

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