文献
J-GLOBAL ID：200902177872823220
整理番号：94A0005137
Evolution of amorphous/crystalline interfacial roughness and end-of-range defects during solid-phase epitaxial regrowth of Ge implanted silicon.
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著者 (1件)：
資料名：
巻：
32/33
ページ：
463-468
発行年：
1993年
JST資料番号：
T0583A
ISSN：
1012-0394
資料種別：
逐次刊行物 (A)
発行国：
スイス (CHE)
言語：
英語 (EN)
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