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J-GLOBAL ID：200902178134228429   整理番号：01A0989526

うねりのある極めて薄いSOI構造薄膜中に作製したシリコン単一電子トンネル素子

Silicon single-electron tunneling device fabricated in an undulated ultrathin silicon-on-insulator film.

著者 (5件)： UCHIDA K (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KOGA J (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  OHBA R (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TAKAGI S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TORIUMI A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 90  号： 7  ページ： 3551-3557  発行年： 2001年10月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルカリベース溶液によるエッチングによって,表面にうねりを持...

シソーラス用語： *単一電子トンネル効果 ,...

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： うねり ,  SOI構造 ,  薄膜 ,  作製 ,  シリコン ,  単一電子 ,  トンネル素子