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J-GLOBAL ID：200902178154971357   整理番号：98A0250293

磁場影響下でフェムト秒光パルス照射された半導体からの高平均パワーTHz放射

High average power THz-radiation from femtosecond optical-pulse irradiated semiconductors under the magnetic field.

著者 (5件)： OHTAKE H (Inst. Molecular Sci.(IMS), Okazaki, JPN) ,  IZUMIDA S (Inst. Molecular Sci.(IMS), Okazaki, JPN) ,  LIU Z (Inst. Molecular Sci.(IMS), Okazaki, JPN) ,  YAMANAKA T (Inst. Molecular Sci.(IMS), Okazaki, JPN) ,  SARUKURA N (Inst. Molecular Sci.(IMS), Okazaki, JPN)
資料名： Conference Proceedings. IEEE LEOS Annual Meeting (IEEE Lasers and Electro-Optics Society)  (Conference Proceedings. IEEE LEOS Annual Meeting (IEEE Lasers and Electro-Optics Society))
巻： 10th  号： Vol.2  ページ： 364-365  発行年： 1997年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 波長760nm,パルス幅100fsのモード同期Ti:サファイ...

シソーラス用語： 磁場効果 ,...

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分類 (1件)： 電磁気学一般  (BD01020N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 磁場影響 ,  フェムト秒 ,  光パルス ,  平均パワー ,  THz放射